【亜州ビジネス編集部】東レは、現地法人の東レインターナショナルシンガポール内に電子材料分野の研究開発（R&D）拠点を開設したと発表した。日韓中の各研究所と連携してR&Dを強化する。同拠点を活用し、科学技術研究庁（A*STAR）と炭化ケイ素（SiC）パワー半導体向けの高放熱接着材料の実用化に向けた共同研究を開始したことも同時に発表した。

　「東レシンガポール研究センター（TSRC）」を6月に開所した。半導体や電子回路材料を含む電子部品に必要な材料の研究を進めるとともに、東南アジアの現地顧客に技術支援を行うことで顧客との連携強化を図る。

　SiCパワー半導体向け材料の研究では、同庁傘下のマイクロエレクトロニクス研究所（IME）と協力する。高放熱接着材料の貼り付けプロセスの簡便性と信頼性の向上に取り組み、2025年の実用化を目指す。


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